在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為一種重要的功率器件，其封裝技術(shù)直接影響著器件的性能和可靠性。本文將為您介紹DBC基板在IGBT封裝中的關(guān)鍵作用，以及真空等離子活化技術(shù)如何提高DBC基板性能，從而提升IGBT封裝可靠性。

一、什么是DBC基板？

?DBC基板（Direct Bond Copper Ceramic Substrate）是一種將銅箔直接鍵合到氧化鋁或氮化鋁陶瓷基片表面的復(fù)合材料，主要用于電力電子模塊中作為芯片的承載體。?DBC基板通過(guò)表面覆銅層完成芯片部分連接極或者連接面的連接，功能近似于PCB板。其具有絕緣性能好、散熱性能好、熱阻系數(shù)低、膨脹系數(shù)匹配、機(jī)械性能優(yōu)、焊接性能佳等特點(diǎn)。

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DBC基板的制備工藝包括以下幾個(gè)步驟：首先對(duì)銅和陶瓷進(jìn)行表面處理，然后將它們堆疊起來(lái)放入真空高溫爐中進(jìn)行焊接。接下來(lái)，對(duì)陶瓷表面的銅進(jìn)行化學(xué)蝕刻，生成設(shè)計(jì)好的圖案和線條。最后，用激光切割陶瓷基板，進(jìn)行單片化處理，得到單芯。DBC基板由陶瓷基片和銅箔在高溫下共晶燒結(jié)而成，具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱能力和高可靠性，廣泛應(yīng)用于IGBT、LD和CPV封裝等領(lǐng)域。

二、真空等離子活化技術(shù)提高DBC基板性能

為了進(jìn)一步提高DBC基板在IGBT封裝中的性能，采用真空等離子活化技術(shù)，提高鍵合質(zhì)量提升IBGT封裝可靠性。以下是該技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)：

1.提高鍵合質(zhì)量

真空等離子活化技術(shù)能夠在DBC基板表面形成一層均勻的活性層，提高銅箔與陶瓷基板的鍵合強(qiáng)度，降低界面電阻，從而提高DBC基板的導(dǎo)熱性能和電氣性能。

2.優(yōu)化微觀結(jié)構(gòu)

真空等離子活化技術(shù)能夠優(yōu)化DBC基板的微觀結(jié)構(gòu)，使其更加致密，提高機(jī)械強(qiáng)度和抗熱沖擊性能。

3.提升封裝可靠性

采用真空等離子活化技術(shù)處理的DBC基板，在IGBT封裝過(guò)程中具有更高的可靠性，有助于降低故障率，提高器件的整體性能。

通過(guò)真空等離子對(duì)DBC基板表面進(jìn)行活化，去除材料表面有機(jī)污染物，提升材料表面潤(rùn)濕性。真空等離子表面活化后表面改善效果明顯，表面附著力得到提升，提升IGBT封裝的可靠性。